Samsung inicia la producción del primer almacenamiento flash universal de 512 GB para dispositivos móviles de próxima generación

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 Samsung Electronics anunció que ha comenzado la producción en masa de la primera solución de almacenamiento Flash universal (eUFS) integrada de 512 gigabytes (GB) de la industria para su uso en dispositivos móviles de próxima generación. 

El nuevo Samsung 512GB eUFS ofrece la mejor solución de almacenamiento integrada para smartphones premium de próxima generación superando las limitaciones potenciales en el rendimiento del sistema que pueden ocurrir con el uso de tarjetas micro SD“, dijo Jaesoo Han, vicepresidente ejecutivo de Ventas y Marketing de Memoria de Samsung. Electrónica. Al asegurar un suministro temprano y estable de este almacenamiento integrado avanzado, Samsung está dando un gran paso adelante al contribuir a lanzamientos puntuales de dispositivos móviles de próxima generación por parte de fabricantes de dispositivos móviles de todo el mundo“.

Compuesto por ocho chips V-NAND de 64 capas y 512 Gb y un chip controlador, todos ellos apilados, el nuevo UFS de 512 GB de Samsung duplica la densidad del anterior eUFS de 256 GB basado en V-NAND de Samsung, en la misma cantidad de espacio que el 256 GB paquete. La mayor capacidad de almacenamiento de eUFS proporcionará una experiencia móvil mucho más extensa. Por ejemplo, el nuevo eUFS de alta capacidad permite que un smartphone insignia almacene aproximadamente 130 video clips 4K Ultra HD (3840 × 2160) de 10 minutos de duración, que es aproximadamente diez veces mayor que un eUFS de 64GB que permite almacenar solo 13 de los vídeo clips del mismo tamaño.
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Utilizando los últimos chips V-NAND de 64-capas de 512 gigabits (Gb) de Samsung, el nuevo paquete eUFS de 512 GB brinda una capacidad de almacenamiento sin igual y un rendimiento sobresaliente para los próximos smartphones y tabletas emblemáticos.

Para maximizar el rendimiento y la eficiencia energética del nuevo eUFS de 512 GB, Samsung ha introducido un nuevo conjunto de tecnologías patentadas. El diseño de circuito avanzado V-NAND de 5 capas de 64 capas y la nueva tecnología de administración de energía en el controlador eUFS de 512 GB minimizan el inevitable aumento en la energía consumida, lo que es particularmente notable ya que la nueva solución eUFS de 512GB contiene el doble de células comparado con 256 GB eUFS. Además, el chip del controlador eUFS de 512 GB acelera el proceso de mapeo para convertir las direcciones de bloques lógicos en bloques físicos.

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El Samsung 512GB eUFS también cuenta con un sólido rendimiento de lectura y escritura. Con sus lecturas y escrituras secuenciales que alcanzan hasta 860 megabytes por segundo (MB / s) y 255 MB / s respectivamente, la memoria integrada de 512 GB permite transferir un video clip de HD completo equivalente a 5GB a una SSD en aproximadamente seis segundos, más de ocho veces más rápido que una típica tarjeta microSD.

Para operaciones aleatorias, el nuevo eUFS puede leer 42.000 IOPS y escribir 40.000 IOPS. Basándose en las escrituras aleatorias rápidas de eUFS, que son aproximadamente 400 veces más rápidas que la velocidad IOPS100 de una tarjeta microSD convencional, los usuarios de dispositivos móviles pueden disfrutar de experiencias multimedia sin interrupciones como disparos en ráfaga de alta resolución, así como búsqueda de archivos y descarga de vídeo en dual -app modo de visualización.

En una nota relacionada, Samsung tiene la intención de aumentar constantemente un volumen de producción agresivo para sus chips V-NAND de 512 Gb de 64 capas, además de expandir su producción V-NAND de 256 Gb. Esto debería cumplir con el aumento de la demanda de almacenamiento móvil integrado avanzado, así como con los SSD premium y las tarjetas de memoria extraíbles con alta densidad y rendimiento.

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